APPLICATION FIELD 選用前沿技術
化學物質半導體芯片
——
光電(dian)器件(jian)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)設(she)(she)備(bei)物料(liao)(liao)(liao)(liao)可包(bao)含單質(zhi)光電(dian)器件(jian)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)設(she)(she)備(bei)及有(you)機氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物光電(dian)器件(jian)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)設(she)(she)備(bei)四(si)(si)種，1、個如硅(gui)（Si）、鍺(Ge）等所生成(cheng) 的(de)光電(dian)器件(jian)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)設(she)(she)備(bei)，后面一種為(wei)砷化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)（GaAs）、氮化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)（GaN）、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)（SiC）等有(you)機氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物生成(cheng)。半(ban)導 體(ti)在(zai)在(zai)這(zhe)之前其主要過程了四(si)(si)代(dai)(dai)轉變(bian) 。砷化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)（GaAs）、 氮化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)（GaN）和(he)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)（SiC）光電(dian)器件(jian)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)設(she)(she)備(bei)分別為(wei)有(you)所作為(wei)第3代(dai)(dai)和(he)第四(si)(si)代(dai)(dai)光電(dian)器件(jian)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)設(she)(she)備(bei)的(de)意(yi)味著，比起(qi)1、代(dai)(dai)光電(dian)器件(jian)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)材(cai)(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)設(she)(she)備(bei)中(zhong)頻機械性能(neng)方(fang)面、高溫高壓機械性能(neng)方(fang)面優 異無數，創(chuang)造成(cheng)本低也非常比較高。
無機化合物半導體設備
——
光電(dian)(dian)器(qi)件材(cai)(cai)料(liao)(liao)行(xing)(xing)業(ye)材(cai)(cai)料(liao)(liao)材(cai)(cai)料(liao)(liao)可分類單(dan)(dan)質光電(dian)(dian)器(qi)件材(cai)(cai)料(liao)(liao)行(xing)(xing)業(ye)材(cai)(cai)料(liao)(liao)及單(dan)(dan)質光電(dian)(dian)器(qi)件材(cai)(cai)料(liao)(liao)行(xing)(xing)業(ye)材(cai)(cai)料(liao)(liao)兩大類，第二類如硅(gui)（Si）、鍺(Ge）等所行(xing)(xing)成 的光電(dian)(dian)器(qi)件材(cai)(cai)料(liao)(liao)行(xing)(xing)業(ye)材(cai)(cai)料(liao)(liao)，因此為砷(shen)化(hua)(hua)(hua)鎵（GaAs）、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)鎵（GaN）、無定(ding)形碳(tan)硅(gui)（SiC）等單(dan)(dan)質行(xing)(xing)成。半導 體在之前(qian)首要歷經(jing)了(le)3代變(bian)化(hua)(hua)(hua)無常(chang)。砷(shen)化(hua)(hua)(hua)鎵（GaAs）、 氮(dan)化(hua)(hua)(hua)鎵（GaN）和無定(ding)形碳(tan)硅(gui)（SiC）光電(dian)(dian)器(qi)件材(cai)(cai)料(liao)(liao)行(xing)(xing)業(ye)材(cai)(cai)料(liao)(liao)各自是(shi)最后代和第3代光電(dian)(dian)器(qi)件材(cai)(cai)料(liao)(liao)行(xing)(xing)業(ye)材(cai)(cai)料(liao)(liao)的代表會，對比第二代光電(dian)(dian)器(qi)件材(cai)(cai)料(liao)(liao)行(xing)(xing)業(ye)材(cai)(cai)料(liao)(liao)高(gao)頻(pin)功能、高(gao)溫天氣功能優(you) 異非常(chang)多，打造成本費也愈加昂貴。
有機化(hua)合物半導體芯片(pian)磨(mo)光墊
研磨墊
解紹：進行晶片相對穩定的高避開率和較低的表面層干燥度，更有效于隨后的代加工。此款拋光墊可能對炭化硅、砷化鎵、電鍍鋅銦、華為平板電腦電子光學太陽鏡和菱鏡、IC柔性板、工業陶瓷、硅片、藍紅寶石、等不銹鋼材質或部件的拋光。
化學物質半導體行業磨(mo)光液
化(hua)學物質半導體技(ji)術拋光劑液
