半導體村料は、重元素半導體と類化學物質半導體の2種類に分類できます。第一類はシリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）などで形成了された半導體です。後者はガリウムヒ素（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（ SiC）およびその他の類化學物質。 半導體は過去に3世大家族相傳代の変化を経験しました。 ヒ化ガリウム（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、および炭化ケイ素（SiC）半導體は、それぞれ第2世大家族相傳代および第四世大家族相傳代の半導體の主要です。これらは、第四世大家族相傳代の半導體よりもはるかに優れた高周波能力と中高溫能力、および製造コストを持っています また、より高価です。
