半導體材質は、稀土元素半導體と無機氧化物半導體の2種類に分類できます。一是はシリコン（Si）、ゲルマニウム（Ge）などで確立された半導體です。後者はガリウムヒ素（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（ SiC）およびその他の無機氧化物。 半導體は過去に3大家族の変化を経験しました。 ヒ化ガリウム（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、および炭化ケイ素（SiC）半導體は、それぞれ第2大家族および第三大家族の半導體の意味です。これらは、一大家族の半導體よりもはるかに優れた高周波的性能參數と高熱的性能參數、および製造コストを持っています また、より高価です。
